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(资料图片仅供参考)

ASEMI高压MOS管7N65参数：

型号：7N65

漏极-源极电压（VDS）：650V

栅源电压（VGS）：30V

漏极电流（ID）：7A

功耗（PD）：50W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.35Ω

二极管正向电压（VSD）：1.4V

输入电容（Ciss）：1000pF

二极管反向恢复时间（trr）：293nS

7N65封装大小：

封装：TO-220

总长度：28.57mm

本体长度：15.87mm

宽度：10.66mm

高度：5.0mm

脚间距：2.54mm

7N65特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的门电荷：Qg=29nC（典型值）。

BVDSS=650V，ID=7A

RDS（开）:1.35Ω （最大值）@VG=10V

100%雪崩测试

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